【SEMICON CHINA2025深度总结】三大维度透视中国半导体产业新突破
虽然本次 SEMICON CHINA 2025 已经落下帷幕，但整个市场仍然沉浸在新凯来带来的震撼之中。它就像一颗深水炸弹，震动了整个半导体市场。其实，新凯来的成功所带来的震撼，反映的不仅仅是这一家公司的成就，更是中国半导体产业在意志的支持下，人才梯队不断完善、技术创新持续升级、全产业链垂直整合能力不断提升，从而使整个中国半导体产业悄然跃上了一个新的台阶。
01
老牌设备厂商持续突破，新锐势力加速崛起
作为全球半导体产业风向标，SEMICON CHINA 2025不仅呈现了技术迭代的深度，更揭示了产业格局的变革——传统巨头持续巩固技术壁垒，新兴企业以差异化路径抢占市场。
1.1
老牌设备厂商：技术纵深突破与生态护城河构建
北方华创：北方华创科技集团股份有限公司（NAURA）成立于2001年9月，主要产品涵盖刻蚀机、薄膜沉积设备、氧化/扩散炉、清洗机等半导体设备，以及锂电、光伏等新能源设备。北方华创是中国半导体设备领域的龙头企业，凭借其先进的技术和完善的产品矩阵，广泛服务于中芯国际、华力微电子等头部厂商。本次展会推出离子注入机Sirius MC 313（适配第三代半导体制造）和12英寸电镀设备Ausip T830（专攻TSV铜填充工艺），国产化率超55%，技术对标国际竞品。
中微公司：中微半导体设备（上海）股份有限公司（AMEC）成立于2004年5月，核心产品包括等离子体刻蚀设备（CCP、ICP）、MOCVD设备、LPCVD设备、ALD设备等，是中国刻蚀设备和MOCVD设备的龙头企业。本次展会发布亚埃级（0.2Å）刻蚀精度的Primo Twin-Star，以及12英寸晶圆边缘刻蚀设备Primo Halona，覆盖5nm以下先进制程需求，这是全球等离子体刻蚀技术领域的又一次创新突破。
拓荆科技：拓荆科技股份有限公司（Piotech）成立于2010年4月，主要产品包括等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD）、原子层沉积设备（ALD）和次常压化学气相沉积设备（SACVD）等。拓荆科技是中国PECVD和SACVD领域实现产业化应用的供应商。本次展会发布7款混合键合设备，覆盖3D-IC封装全流程，其原子层沉积设备VS-300T的坪效比达行业更高，成为国产键合技术从“单点突破”迈向“全链条覆盖”的标志。
盛美上海：盛美半导体设备（上海）股份有限公司（ACM Research）成立于2005年5月，是上海市政府科教兴市项目重点引进的集成电路装备企业，主要产品包括单晶圆及槽式湿法清洗设备、电镀设备、无应力抛光设备、立式炉管设备、前道涂胶显影设备及PECVD设备等。本次展会发布Tahoe-SPM清洗设备、面板级电镀设备Ultra ECP ap-p等新品，构建覆盖前道制造至先进封装的全平台能力。
华海清科：华海清科股份有限公司（Hwatsing）成立于2013年4月，主要产品包括化学机械抛光（CMP）设备、减薄设备、划切设备、湿法设备、晶圆再生、关键耗材与维保服务，是目前中国一家能够为集成电路制造商提供12英寸CMP商业机型的高端半导体设备制造商。本次展会推出减薄抛光一体机，适配HBM高带宽存储芯片封装需求，成为中国实现12英寸CMP设备量产的厂商，技术指标比肩应用材料。
1.2
新锐势力：差异化突围与国产替代生态重构
新凯来：深圳市新凯来技术有限公司（SiCarrier）成立于2021年8月，隶属深圳国资委。据媒体报道，新凯来由华为“星光工程事业部”拆分组建，其核心团队拥有20年以上的电子设备研发经验，并与国内半导体产业链上下游深度绑定。深圳国资委不仅提供资金支持，还通过政策倾斜推动其与中芯国际、长江存储等头部晶圆厂合作，加速产品验证与市场导入。新凯来在半导体设备领域发展迅速，其设备在薄膜沉积、刻蚀、量检测等关键技术上取得突破，性能接近国际水平，部分产品已进入量产阶段。新凯来参展即发布31款设备，覆盖刻蚀（ETCH）、薄膜沉积（ALD/PVD/CVD）及量测检测全流程，核心零部件90%以上国产化。其EPI“峨眉山”外延设备适配12英寸晶圆，突破国际巨头在外延层技术的垄断；ALD“阿里山”设备薄膜均匀性达纳米级，成本较AMAT低20%-30%，成为中低端市场的有力竞争者。
卓兴半导体：深圳市卓兴半导体科技有限公司（ASMADE）成立于2015年，主要产品包括先进封装设备、功率器件封装设备、Mini LED晶片转移设备等。本次展会展出高精度贴片机AS8136和多功能组焊线AS2001CLIP，覆盖光模块、功率器件封装等领域，自主化率超80%，填补国产设备在先进封装细分环节的空白。
纳设智能：深圳市纳设智能装备股份有限公司（Naso Tech）成立于2018年10月，核心产品包括第三代半导体碳化硅外延设备，其自主研发的SiC高温化学气相沉积外延设备，是中国首台完全自主创新的设备。本次展会发布8英寸碳化硅外延设备全自动双腔系统，通过多区进气技术将外延缺陷率降低30%，产能提升显著。
芯三代：芯三代半导体科技（苏州）股份有限公司（SiCentury）成立于2020年9月，主要产品包括6英寸和8英寸兼容的碳化硅（SiC）外延设备。本次展会推出垂直式6/8英寸兼容SiC外延设备，已在头部客户实现批量出货，外延片均匀性达国际水平。
根据MIR 睿工业研究，截至2024年，中国晶圆制造设备综合本土化率已达25%（按市场规模计算），其中清洗、CMP、PVD设备本土化率已超35%。新老设备厂商的持续发力助力晶圆制造设备国产化率不断提升。
2024年中国大陆主要晶圆制造设备本土化率情况
数据来源：MIR DATABANK
02
核心材料突破：从国产替代到国际竞争力
SEMICON CHINA 2025展现了中国半导体材料从“追赶”到“并跑”的质变，其突破不仅是技术能力的体现，更是产业链生态重构、标准话语权争夺和可持续发展战略的缩影。
2.1
光刻胶：填补高端空白
北京科华：北京科华微电子材料有限公司（Kempur）成立于2004年8月，主要产品涵盖KrF（248nm）、I-line、G-line、紫外宽谱的光刻胶及配套试剂，是中国在光刻胶领域拥有自主知识产权的企业。MIR 睿工业分析师在展会上获悉，其28nm KrF光刻胶已实现了90°±0.5°侧壁垂直度和99.5%良率。
徐州博康：徐州博康信息化学品有限公司（BCPC）成立于2010年3月，主要产品包括ArF/KrF光刻胶单体及光刻胶产品、G线/I线光刻胶、电子束光刻胶等，是中国一家实现“单体-树脂、光酸-光刻胶”全产业链覆盖的光刻胶供应商。MIR 睿工业分析师在展会上获悉，其i-line光刻胶分辨率达1.5μm，金属离子含量<0.01ppb，已进入TSV封装市场。
2.2
CMP材料：核心技术持续突破
安集科技：安集微电子科技（上海）股份有限公司（ANJI）成立于2006年2月，主要产品包括不同系列的化学机械抛光液（CMP）、功能性湿电子化学品和电镀液及添加剂系列产品，是中国CMP抛光液领域的龙头企业。MIR 睿工业分析师在展会上获悉，其第三代氧化物CMP浆料在3D NAND工艺中碟形缺陷控制在±2nm以内，寿命延长40%。
鼎龙股份：湖北鼎龙控股股份有限公司（Dinglong）创立于2000年7月，主要业务涵盖半导体制造用CMP工艺材料、晶圆光刻胶、半导体显示材料和半导体先进封装材料。MIR 睿工业分析师在展会上获悉，其抛光液添加剂纯度达99.999%。
2.3
第三代半导体材料：大尺寸与高纯度突破
天岳先进：山东天岳先进科技股份有限公司（SICC）成立于2010年11月，主要产品包括导电型和半绝缘型碳化硅衬底，其半绝缘型碳化硅衬底市占率连续多年位居全球前三，2023年导电型碳化硅衬底市场占有率跃居全球第二。在本次展会上，全球全系列6/8/12英寸碳化硅衬底，12英寸产品晶粒产出量提升2.5倍，微管密度<1/cm²，适配新能源汽车800V平台。
天科合达：北京天科合达半导体股份有限公司（TankeBlue）成立于2006年9月，由新疆天富集团和中国科学院物理研究所共同设立，是中国专业从事碳化硅晶片研发和生产的企业，拥有完整的碳化硅晶片生产线，在导电型碳化硅单晶领域长期稳居国内。本次展会推出8英寸光波导型衬底（透光率>95%），解决AR眼镜彩虹纹难题。
中国半导体材料国产化率近年来快速提升，但仍呈现“结构性分化”特点：成熟制程材料替代率显著提高，但高端材料仍依赖进口，部分领域技术瓶颈亟待突破。根据MIR 睿工业研究，截至2024年，中国大陆主要的晶圆制造材料国产化率仍然较低，普遍仍在40%以下，部分关键材料如光刻胶仅13%。
2024年中国大陆晶圆制造材料本土化率
数据来源：MIR DATABANK
03
零部件厂商：本土生态进阶与高精度突围
在SEMICON CHINA 2025展会上，中国半导体设备零部件厂商在多个关键领域实现技术突破，展现了从“进口替代”到“自主创新”的跨越。
3.1
射频电源与等离子体源
吉兆源科技：北京吉兆源科技有限公司（GMPOWER）成立于2012年2月，主要研发和生产射频电源、射频自动匹配器及溅射用直流电源。本次展会推出半导体射频电源系列（如射频RPS系列、ESC静电卡盘电源系列），支持刻蚀和薄膜沉积设备，重复定位精度达±0.1mm，适配先进制程需求。
富创精密：沈阳富创精密设备股份有限公司（Fortune Semi）成立于2008年6月，产品包括工艺零部件、结构零部件、模组产品和气体管路。富创精密是中国领先的半导体零部件核心制造商，其高耐腐蚀、超高洁净零部件已在7nm制程工艺设备中广泛应用。本次展会推出包括适配光刻机、刻蚀机等设备的真空卡盘、射频电源、温控模块等，覆盖7nm及以下先进制程需求，性能对标国际水平。
英杰电气：四川英杰电气股份有限公司（INJET）成立于1996年1月，主要产品包括系列功率控制器、铸锭炉电源、还原炉电源等。MIR 睿工业分析师在展会上获悉，其射频电源及匹配器适配刻蚀、薄膜沉积等工艺，支持高频稳定能量输出；RPS远程等离子源：优化刻蚀与清洗工艺的稳定性，降低能耗30%。
恒运昌：深圳市恒运昌真空技术有限公司（CSL）成立于2008年11月，主要产品包括射频电源系统、真空卡盘等，适用于刻蚀机、薄膜沉积设备，覆盖5nm先进制程需求。MIR 睿工业分析师在展会上获悉，其射频电源系统适配刻蚀机、薄膜沉积设备，覆盖5nm先进制程需求。
沃特塞恩：深圳市沃特塞恩科技有限公司（Wattsine）成立于2014年11月，主要产品为固态微波远程等离子体源（RPS），解决半导体刻蚀与清洗工艺中的高稳定性需求，已进入碳化硅外延设备验证阶段。本次展会展示固态微波远程等离子体源（RPS），解决半导体刻蚀与清洗工艺中的高稳定性需求，已进入碳化硅外延设备验证阶段。
3.2
静电卡盘
吉兆源科技：MIR 睿工业分析师在展会上获悉，其ESC静电卡盘电源系列已实现纳米级电压稳定性（±0.1%），适配高精度刻蚀机。
长风电子：浙江长风电子有限公司（ZJCF）成立于1984年5月，主要从事电子仪器用轻触开关、微动开关、AV插座、麦克风插座、连接器、塑胶件、冲压件等系列产品的生产。MIR 睿工业分析师在展会上获悉，其与韩国KSTE合作开发的静电卡盘，计划实现中国本土量产，解决刻蚀机、薄膜沉积设备国内空白问题。
英杰电气：MIR 睿工业分析师在展会上获悉，其E-Chuck静电卡盘电源实现纳米级电压控制（±0.1%），适配高精度刻蚀设备。
3.3
泵与真空系统
北仪优成：北京北仪优成真空技术有限公司（Beiyi Woosung）成立于2002年11月，主要产品包括TRP系列双级旋片泵、RPF系列液力偶合罗茨泵、SRP系列单级旋片泵、罗茨泵真空机组等。本次展会推出TRP双级旋片式真空泵和液力耦合罗茨泵，适配半导体制造中的高洁净度需求。
浙江启尔机电：浙江启尔机电技术有限公司（CheerTech）成立于2013年5月，主要研发、生产和销售高端半导体装备超洁净流控系统及其关键零部件，包括高端光刻机浸液系统、磁悬浮泵、波纹管泵（风囊泵）等。MIR 睿工业分析师在展会上获悉，其磁悬浮泵和波纹管泵（风囊泵）已实现无油污染，可为晶圆厂提供超洁净流控解决方案。
半导体零部件需满足高精度、高洁净度、耐腐蚀性、超长寿命等严苛要求，高端技术国内外供应商差距显著，如国产射频电源与等离子体源功率稳定性、波形控制等参数与美企MKS、AE差距较大。但由于近两年美国制裁的不断加剧，外资关键零部件供应商在华限售，倒逼国产零部件厂商不断进行技术升级。
国产设备厂商一方面寻求欧美及日韩零部件厂商替代（如霍廷阁、Daihen、LK等），一方面不断扶持国内零部件供应商的发展（如华创扶持自有品牌华丞电子，使用恒运昌、联影等国产供应商）。此次新凯来的设备零部件90%以上是自研及国产供应商，也进一步体现了国产零部件供应能力的进一步加强。
04
中国半导体发展趋势总结
根据MIR DATABANK数据显示，2024年中国大陆半导体晶圆制造设备市场规模达2300多亿元，达到历史高点，全年市场规模总体保持上涨趋势，同比增长19.4%。
2018~2024年中国大陆晶圆制造设备市场规模（百万人民币）
数据来源：MIR DATABANK
中国作为全球更大的半导体消费市场，在半导体设备、材料、关键零部件领域一直被外资厂商所主导，中国大陆市场一直是ASML、TEL、SCREEN等外资厂商最重要的营收来源之一。但近两年集成电路产业投资基金（大基金）、税收优惠等政策持续推动半导体设备国产化、原材料突破、关键零部件自主供应；设备厂商与晶圆厂、材料企业形成联合开发机制，缩短验证周期。
半导体设备：目前，中国半导体设备已从单一产品突破转向全流程覆盖，刻蚀、薄膜沉积、离子注入等核心设备国产化率显著提升。支持5nm制程的ALD设备、高精度离子注入机等产品性能对标国际水平，填补了高端设备空白。同时，先进封装技术（如3D集成、Chiplet）的突破推动国产设备在AI芯片、汽车电子等领域的应用。
半导体材料：关键材料如碳化硅（SiC）衬底、高纯度电子特气、光刻胶等实现国产替代。12英寸碳化硅衬底成本降低30%，第三代半导体在新能源汽车、光伏等领域的商业化加速。此外，抛光液、抛光垫等材料市占率不断提升，逐渐打破海外垄断。
半导体零部件：中国半导体零部件产业正经历从“低端”向“高端”的转型，机械、陶瓷等中低端领域已形成竞争力，但射频电源、真空阀等高端产品仍需突破。未来，通过产业链协同（设备-材料-制造）、技术创新和资本整合（并购/全球化布局），国产零部件厂商将逐渐向一线梯队进阶，并进入到全球市场供应链当中。
写在最后
SEMICON CHINA 2025展现了中国半导体产业从“替代者”向“规则制定者”转型的路径：通过技术立体化创新（延续摩尔+超越摩尔）、供应链韧性构建（国产替代+区域协同）、生态重构（平台化整合+ESG转型）三大战略，逐步突破外部封锁。尽管面临技术代差与全球化风险，但在AI革命与绿色经济浪潮下，中国半导体产业正以全链协同的态势，向更大的市场机遇迈进。